| Sensor Spezifikationen |
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Bildsensor
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CMOS Sensor mit on-chip non-uniformity korrektur
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Sensortyp
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Monochrome
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Anzahl lichtempfindliche Pixel
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1,310,720 (1280H x 1024V)
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Aktive Bildfläche
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8,96 mm (H) x 7,17 mm (V) > 2/3"
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Pixelabstand
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7 x 7 µm
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Well Kapazität
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mehr als 75,000 Elektronen (55,000 linearer Bereich)
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Erweiterter Full Well
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programmierbar bis zu 64,000 Elektronen (linearer Bereich)
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Dunkelstrom Signal
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787 Elektronen/s @ 21 °C
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Sättigungszeit
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51 s @ 21 °C
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durchschnittlicher Dunkelstrom
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255 pA/cm2 @ 21 °C
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Blooming Unterdrückung
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1 x 10^5
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Smear
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kein
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Dynamik
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std. 68 dB (55,000 / 20 = 2750 : 1) linear, 70 dB erweitert linear , 73 dB
erweiterter Dynamikbereich 100 dB im Limited Exposure Technology (LET) modus
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Graustufen
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12 Bit oder 4096 Graustufen
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Shutter
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On-chip Shutter elektronisch, rolling curtain. Shutter Synchronisierung
softwaregesteuert oder über Kabelanschluß
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Max. Belichtungszeit
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2 s mit vernachlässigbarem Dunkelstromeffekt @ 21 °C, 10 s mit 20 %
Dunkelstromeffekt @ 21 °C, längere Belichtungszeiten möglich bis zur Sensorsättigung
(ohne Dunkelstromkorrektur)
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Min. Belichtungszeit
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2 Linen, typ. 270 µs bei 10 MHz
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On-board Speicher
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8 Mbyte
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FPGA (Field program. Gate Array)
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ja
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| Interface Spezifikationen |
Interfacetyp
Kabellänge USB 2.0
Ferntrigger
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USB 2.0, Steckverbinder
IP 65 max. 5 m
a.A.
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| Mechanische Spezifikation |
Abmaße
Gehäuse
Objektivadapter
Stativanschluss
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(D) 90 mm x (L) 130 mm (H) 98 mm (B) 95 mm
Pulverbeschichtetes Aluminium, POM schwarz
C-mount Standard, Edelstahl
¼" mount; Schienenmontage Industrieprofile
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| Umgebungsbedingungen |
Betriebstemperatur
Lagertemperatur
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0 °C to +60 °C
-30 °C to + 80 °C nicht kondensierend
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